IXFN200N07

Маркировка

IXFN200N07

Описание

MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Производитель

IXYS

Характеристики IXFN200N07

  • Серия
    HiPerFET™
  • Производитель
    IXYS
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 500mA, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    70V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    200A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    480nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Power - Max
    520W
  • Исполнение / Корпус
    SOT-227, miniBLOC
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.